Estudio de la fotoluminiscencia de pozoscu ́anticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs
...
Reyes Arango, Jaime A. | 2006-02-24
Las propiedades f ́ısicas de los nitruros semiconductores del grupo III los con-vierten en excelentes candidatos para la fabricaci ́on de variados dispositivos op-toelectr ́onicos. El nitruro diluido cuaternario Ga1−xInxNyAs1−yen particular, hasuscitado un creciente inter ́es en el ́area de las comunicaciones ́opticas, con mirasa la fabricaci ́on de emisores y detectores en el rango en el cual las tecnolog ́ıasde fibras ́opticas existentes presentan unas p ́erdidas m ́ınimas (1.3 y 1.55μm). Laventaja de este material cuaternario es que tiene coincidencia de red con el GaAs,lo que permite aprovechar toda la tecnolog ́ıa desarrollada para la fabricaci ́on deeste material binario. Es sabido que las propiedades ́opticas de los nitruros dilui-dos se degradan con la incorporaci ́on de N, debido a un aumento en la densidadde centros de recombinaci ́on no-radiativos. Para eliminar tales defectos, el mate-rial es sometido a un tratamiento de recocido t ́ermico despu ́es de su fabricaci ́onque, adem ́as de generar una notable mejora de sus propiedades ́opticas, origina unmarcado corrimiento de la emisi ́on hacia el azul.
LEER